Шина ISA: часть 2

 
6. Временные диаграммы шины ISA
 

В таблицах этой главы приведены временные соотношения для всех циклов, объясненных в предыдущей главе. Все времена приведены для частоты SYSCLK= 8 МГц, поэтому, если проектируемая внешняя плата должна работать в компьютерах с частотой SYSCLK до 16 МГц, то следует ужесточить требования к быстродействию внешней платы не менее чем в два раза по сравнению с приведенными. Для ресурсов все времена измерены на разъеме ресурса доступа. Время в пределах 0...11 нс добавлено для учета времени распространения сигнала по шине. В некоторых случаях сигнал возвращается от ресурса, который был источником сигнала, синхронизированного с возвращаемым и в этом случае добавлено 0...22 нс. Время "0" означает теоретически минимально возможное время и используется только как расчетное при определении времени цикла.

ПРИМЕЧАНИЕ: В таблицах и временных диаграммах приведены только сигналы -MEMR и -MEMW, а не -SMEMR и -SMEMW. Сигналы -SMEMR и -SMEMW вырабатываются с задержкой от 0 до 10 нс относительно сигналов -MEMR и -MEMW в тех случаях, когда ЦП, контроллер ПДП или контроллер регенерации является задатчиком на шине. Если задатчиком на шине является внешняя плата, то задержка может быть увеличена до 22 нс.

ПРИМЕЧАНИЕ: Во всех таблицах временных диаграмм TCLK обозначает период тактовой частоты шины.

Таблица 6.1. Временные соотношения для циклов с 0 тактов ожидания, нормальных и удлиненных, для 16- и 8-разрядных ресурсов памяти и УВВ.

N параметра

Наименование

Задатчик на шине (нс)

Ресурс доступа (нс)

Мин

Макс

Мин

Макс

1

LA<23...17> устанавливается до BALE

61

 

50

 

2

Ширина импульса BALE

61

 

50

 

3

LA<23...17> сохраняется после BALE

26

 

15

 

4

LA<23...17> устанавливается до команды для 16-разрядной памяти [1]

120

 

109

 

5

-MEM CS16 истинный от LA<23...17>

 

102

 

66

6

-MEM CS16 удерживается после LA<23...17>

0

0

   

7a

SA<19...0> устанавливается до команды для 16-разрядной памяти

39

 

28

 

b

SA<19...0> устанавливается до команды для 16- или 8-разрядного УВВ

 

102

 

91

c

-SBHE устанавливается до команды для 16-разрядной памяти

49

 

38

 

d

-SBHE устанавливается до команды для 16- или 8-разрядного УВВ

112

 

101

 

8a

Длительность команд записи/чтения при доступе к 16-разрядной памяти (нормальный или удлиненный цикл)

250

 

239

 

b

Длительность команд записи/чтения при доступе к 16-разрядным УВВ (нормальный или удлиненный цикл)

187

 

176

 

c

Длительность команд записи/чтения при доступе к 16-разрядной памяти (0 тактов ожидания цикл)

125

 

114

 

d

Длительность команд записи/чтения при доступе к 8-разрядным ресурсам (нормальный или удлиненный цикл)

530

 

519

 

9

SA<19...0> устанавливается до BALE

40

 

29

 

10a

Время установления данных после сигнала чтения 16-разрядной памяти

 

209

 

187

b

Время установления данных после сигнала чтения 16- разрядного УВВ

 

132

 

110

c

Время установления данных после сигнала чтения 16-разрядной памяти для цикла с 0 тактов ожидания

 

132

 

110

 

d Время установления данных после сигнала чтения 8-разрядного УВВ

 

489

 

467

11a

Время установления данных в цикле записи в 16-разрядную память

29

 

40

 

b

Время установления данных в цикле записи в 16-разрядное УВВ

33

 

22

 

c

Время установления данных в цикле записи в 8-разрядный ресурс

33

 

22

 

12

SA<19...0>, -SBHE снимаются после командного сигнала

22

 

11

 

13a

Время выключения команды при доступе к 16-разрядному ресурсу

125

 

114

 

b

Время выключения команды придоступе к 8-разрядному ресурсу

187

 

176

 

14

Время установления данных при чтении до снятия команды

40

 

62

 

15a

Удержание данных при чтении

0

 

0

 

b

Удержание данных при записи

30

 

30

 

16

Перевод сигналов SD<15...0> в третье состояние после снятия команды

32

 

32

 

17

-0WS истинный от команды

40

 

18

 

18

-I/O CS16 истинный от SA<19...0>

 

126

 

90

19

-I/O CS16 удерживается после снятия SA<19...0>

0

 

0

 

20a

I/O CH RDY в лог."0" от 16-разрядной команды

 

66

 

44

b

I/O CH RDY в лог."0" от 8-разрядной команды

 

378

 

356

21

I/O CH RDY длительность в лог."0" TCLK

15600

TCLK

15600

 

22

Снятие командного сигнала после разрешения I/O CH RDY

TCLK

 

TCLK

 

23

Разрешение BALE после снятия команды

50

 

61

 

24

Период тактовой частоты (TCLK)

125

167

125

167

25

Данные устанавливаются до разрешения I/O CH RDY

   

63

 

26

LA<23...17> удерживается после разрешения команды обращения к памяти

41

 

30

 

27

Длительность -0WS

125

 

125

 

28

-0WS устанавливается до спада SYSCLK

   

10

 

29

-0WS удерживается после спада SYSCLK

   

20

 

Примечание: (1) LA<23...17> вырабатываются так же как SA<19...0>, если задатчик на шине не центральный процессор. 

Табл. 6.2. Временные соотношения для цикла регенерации памяти.

N параметра

Наименование

Контроллер регенерации (нс)

Внешняя плата (нс)

Мин

Макс

Мин

Макс

1

Длительность -MEMR/-SMEMR

250

 

239

 

2

SA<19...0> устанавливается до-MEMR

125

 

114

 

3

SA<19...0> удерживается после завершения команды

10

 

21

 

4

I/O CH RDY в лог."0" от -MEMR/-SMEMR

 

81

 

59

5

-MEMR снимается после разрешения I/O CH RDY

125

250

125

261

6

-REFRESH устанавливается до -MEMR

250

 

239

 

7

-REFRESH удерживается после запрещения -MEMR (1)

125

250

125

211

8

SA<19...0> и -MEMR удерживаются в третьем состоянии после запрещения -MEMR

 

TCLK

   

9

Длительность лог."0" I/O CH RDY

TCLK

 

TCLK

 

10

Задержка возвращения управления шиной после запрещения -REFRESH

2TCLK

 

2TCLK

 

ПРИМЕЧАНИЕ: (1) Сигнал -REFRESH может удерживаться длительное время для выполнения нескольких циклов регенерации памяти.

 

Таблица 6.3. Временные соотношения для циклов ПДП

N параметра

Наименование

Внешняя плата как источник или контроллер ПДП (нс) 

Внешняя плата как приемник (нс)

Мин Макс Мин Макс

1

-DACK, AEN устанавливаются до -I/OR, -I/OW

145

 

134

 

2

Адрес устанавливается до команды

102

 

91

 

3a

-I/OR устанавливается до -MEMW

235

 

224

 

b

-MEMR устанавливается до -I/OW

30

 

19

 

4a

Данные устанавливаются от -I/OR(1)

 

230

 

241

b

Данные устанавливаются от -MEMR(1)

 

261

272

 

5a

Данные устанавливаются до разрешения -MEMW

   

-21

 

b

Данные устанавливаются до разрешения -I/OW

   

-214

 

6

Команда чтения удерживается после запрещения команды записи

50

 

39

 

7

Адрес удерживается после запрещения команд

50

 

39

 

8

Данные удерживаются после запрещения команд(1)

50

 

39

 

9

I/O CH RDY в лог."0" от команды обращения к памяти (1)

 

125

 

90

10

T/C устанавливается до команды

-60

60

-49

49

11

T/C удерживается после запрещения команды

-60

60

-49

49

12a

Длительность -I/OR

700

 

689

 

b

Длительность -MEMR

450

 

439

 

13a

Длительность -I/OW

400

 

389

 

b

Длительность -MEMW

650

639

   

14

-DACK удерживается после запрещения команды

60

 

49

 

15

AEN удерживается после запрещения команды

60

 

49

 

16

DRQ активный от разрешения команды

 

119

 

141

17

Длительность лог."0" I/O CH RDY

TCLK

 

TCLK

 

ПРИМЕЧАНИЕ: (1) Не для контроллера ПДП, а для внешней платы.

Таблица 6.4. Временные соотношения для цикла захвата шины

 

N параметра

Наименование

ЦП, контроллер ПДП, контроллер регенерации (нс)

Внешняя плата (нс)

Мин Макс Мин Макс

1

DACK разрешается после разрешения DRQ (1)

       

2

Задержка -MASTER от -DACK 0

       

3

Контроллер ПДП переводит свои выходы в третье состояние

0

49

   

4

AEN удерживается после разрешения -MASTER

0

49

   

5

Внешняя плата начинает вырабатывать сигналы адреса, данных и командные сигналы

   

60

 

6

Сигнал -MASTER удерживается после запрещения DRQ

     

100

7

Сигнал -DACK удерживается послезапрещения DRQ (2)

0

 

0

 

8

Внешняя плата переводит свои выходы в третье состояние до запрещения сигнала -MASTER

   

0

 

9

ЦП начинает вырабатывать свои сигналы после запрещения сигнала -MASTER

0

     

10

DRQ удерживается запрещенным после запрещения -DACK

   

0

 

ПРИМЕЧАНИЯ: (1) Точные временные интервалы определяются контроллером ПДП. (2) Сигнал DRQ должен оставаться запрещенным, пока разрешен сигнал -DACK.

Файлы с графической иллюстрацией временных диаграмм шины ISA можно переписать  здесь. Названия имен файлов соответствует следующим рисункам:

Рис. 6.1. Цикл доступа к 16-разрядной памяти с 0 тактом ожидания

Рис. 6.2. Нормальный и удлиненный цикл записи/чтения 16-разрядной памяти

Рис. 6.3. Нормальный и удлиненный цикл записи/чтения 16-разрядного устройства ввода/вывода

Рис. 6.4. Нормальный и удлиненный цикл записи/чтения 8-разрядной памяти

Рис. 6.5. Нормальный и удлиненный цикл записи/чтения 8-разрядного устройства ввода/вывода

Рис. 6.6. Нормальный и удлиненный цикл регенерации: 1 - Время разрешения сигнала -REFRESH может быть увеличено для выполнения нескольких циклов регенерации; 2 - Текущий задатчик на шине должен перевести сигналы адреса и команд в третье состояние до разрешения сигнала REFRESH.

Рис. 6.7. Нормальный и удлиненный циклы ПДП: 1 - DRQ может стать отрицательным в любое время после -DACK; 2 - IO/ CH RDY запрещается для вставки дополнительных тактов ожидания. Каждый дополнительный такт ожидания состоит из двух тактов SYSCLK; 3 - Контроллер ПДП активизирует сигнал TC в течении последней пересылки данных

Рис. 6.8. Цикл захвата шины: (1) - Контроллер ПДП; (2) - Внешняя плата



7. Характеристики соединителей на шине

 7.1. Назначение выводов соединителей, устанавливаемых в слоты

Назначение выводов соединителей показано сверху вниз (при установленной внешней плате сторона компонентов соответствует правой половине соединителей, а место установки крепежной планки - верху).

36-выводный [8/16] соединитель:

Сигнал

Вывод

Вывод

Сигнал

-MEM CS16

D1

C1

-SBHE

-I/O CS16

D2

C2

LA23

IRQ10

D3

C3

LA22

IRQ11

D4

C4

LA21

IRQ12

D5

C5

LA20

IRQ15

D6

C6

LA19

IRQ14

D7

C7

LA18

-DACK0

D8

C8

LA17

DRQ0

D9

C9

-MEMR

-DACK5

D10

C10

-MEMW

DRQ5

D11

C11

SD8

-DACK6

D12

C12

SD9

DRQ6

D13

C13

SD10

-DACK7

D14

C14

SD11

DRQ7

D15

C15

SD12

+ 5 В

D16

C16

SD13

-MASTER

D17

C17

SD14

Корпус (GND)

D18

C18

SD15

62-выводный [8] соединитель:

Сигнал

Вывод

Вывод

Сигнал

Корпус (GND)

B1

A1

-I/O CH CK

RESET DRV

B2

A2

SD7

+ 5 В

B3

A3

SD6

IRQ9

B4

A4

SD5

- 5 В

B5

A5

SD4

DRQ2

B6

A6

SD3

- 12 В

B7

A7

SD2

-0WS

B8

A8

SD1

+ 12 В

B9

A9

SD0

Корпус (GND)

B10

A10

I/O CH RDY

-SMEMW

B11

A11

AEN

-SMEMR

B12

A12

SA19

-I/OW

B13

A13

SA18

-I/OR

B14

A14

SA17

-DACK3

B15

A15

SA16

DRQ3

B16

A16

SA15

-DACK1

B17

A17

SA14

DRQ1

B18

A18

SA13

-REFRESH

B19

A19

SA12

SYSCLK

B20

A20

SA11

IRQ7

B21

A21

SA10

IRQ6

B22

A22

SA9

IRQ5

B23

A23

SA8

IRQ4

B24

A24

SA7

IRQ3

B25

A25

SA6

-DACK2

B26

A26

SA5

T/C

B27

A27

SA4

BALE

B28

A28

SA3

+ 5 В

B29

A29

SA2

OSC

B30

A30

SA1

Корпус (GND)

B31

A31

SA0

 7.2. Электрические характеристики сигналов

Аббревиатуры, раскрытые ниже, будут использоваться далее при рассмотрении требований к характеристикам сигналов на шине.

ТРИ - выход с тремя состояниями. Имеет состояния: активный низкий уровень, активный высокий уровень, выключено;

ОК - открытый коллекторный выход. Имеет состояния: активный низкий уровень, выключено;

ТТЛ - выход транзисторно-транзисторной логики с двумя состояниями. Имеет состояния: активный низкий уровень, активный высокий уровень;

Iih - входной ток высокого уровня. Такой ток возникает тогда, когда ко входу подключен выход с активным высоким уровнем;

Iil - входной ток низкого уровня. Такой ток возникает тогда, когда ко входу подключен выход с активным низким уровнем.

Ioh - выходной ток высокого уровня. Характеризует нагрузочную способность выхода устройства в активном высоком уровне;

Iol - выходной ток низкого уровня. Характеризует нагрузочную способность выхода устройства в активном низком уровне;

Vih - входное напряжение высокого уровня;

Vil - входное напряжение низкого уровня;

Voh - выходное напряжение высокого уровня;

Vol - выходное напряжение низкого уровня.

Напряжения и токи по цепям сигналов на шине.

На шине ISA могут использоваться только три типа устройств: ТТЛ (транзисторно-транзисторной логики), ТРИ (трехстабильный) и ОК (открытый коллекторный выход). Устройство ТТЛ может быть только фиксированного направления - либо вход, либо выход. Устройство с тремя состояниями может быть как входом так и выходом, и кроме этого, находиться в третьем состоянии.

Таблица 7.1. Напряжения и токи на шине

 

ТТЛ

ТРИ

ОК (1)

 

передатчик

приемник

передатчик

приемник

ТРИ

передатчик

Iil

-

-0.8

-

-0.8

-0.4

-0.4(2)

Iih

-

0.04

-

0.04

0.04

0.02

Iol

24

-

24

-

0.4

24

Ioh

-3

-3

-3

-

-0.04

(3)

ПРИМЕЧАНИЯ:

(1) Voh=2.4 В Vih=2.7 В Vol=0.5 В Vil=0.4 В

Все токи в таблице указаны в миллиамперах. Знак "-" перед значением тока означает, что ток вытекает из внешней платы в кросс материнской платы.

(2) Линия с открытым коллекторным выходом может быть подключена к ТТЛ входу.

(3) По линии с открытым коллекторным выходом ток Ioh (ток утечки) не должен превышать для каждого слота 0.4 миллиампера.

7.4. Дополнительные требования к приемникам и передатчикам на внешних платах

Разработка собственных внешних плат требует соблюдения еще ряда условий, кроме оговоренных в табл. 7.4. Это следующие условия:

  • при проектировании топологии печатного монтажа на внешней плате, следует учитывать, что максимальная длина печатного проводника от контакта разъема до вывода подключенного к этой цепи компонента не должна превышать 65 мм;
  • для минимизации помех на шине, уменьшения переотражений следует использовать компоненты с крутизной фронта нарастания/спада выходного напряжения не хуже 3 нс.
  • максимальная емкость по каждому выводу интерфейсного разъема должна быть не более 20 пФ. В эту емкость входят входные емкости всех приемников и передатчиков, подсоединенных к выводу, и, кроме этого, емкость печатного проводника, связывающего вывод разъема с компонентами.

Таблица 7.2. Номиналы резисторов и способ подключения

Сигнал

На + 5 В

Последовательно

-I/O CH CK

4.7 кОм

-

I/O CH RDY

1.0 кОм

-

-I/O CS16

300 Ом

-

I/OR

4.7 кОм

22 Ом

I/OW

4.7 кОм

22 Ом

-MASTER

300 Ом

-

-MEM CS16

300 Ом

-

-MEMR

4.7 кОм

22 Ом

-MEMW

4.7 кОм

22 Ом

OSC

-

22 Ом

-REFRESH

300 Ом

-

-SMEMR

4.7 кОм

22 Ом

-SMEMW

4.7 кОм

22 Ом

SYSCLK

-

27 Ом

-0WS

300 Ом

-

7.5. Нагрузочные резисторы на шине

На кроссе материнской платы установлены нагрузочные резисторы для оптимизации электрических характеристик шины. Нагрузочные резисторы подключаются двумя способами:

  • между линией сигнала и + 5 В;
  • последовательно между ресурсом на материнской плате и линией сигнала на шине.

7.6. Механические характеристики внешней платы

При разработке внешней платы следует также учитывать следующее:

  • толщина платы должна быть 1.6 мм +- 0.2 мм (с учетом толщины фольги);
  • коробление платы не должно превышать 1.3 мм на всей длине платы;
  • максимальная высота компонентов на плате не более 10 мм.