В таблицах этой главы приведены временные соотношения для всех циклов, объясненных в предыдущей главе. Все времена приведены для частоты SYSCLK= 8 МГц, поэтому, если проектируемая внешняя плата должна работать в компьютерах с частотой SYSCLK до 16 МГц, то следует ужесточить требования к быстродействию внешней платы не менее чем в два раза по сравнению с приведенными. Для ресурсов все времена измерены на разъеме ресурса доступа. Время в пределах 0...11 нс добавлено для учета времени распространения сигнала по шине. В некоторых случаях сигнал возвращается от ресурса, который был источником сигнала, синхронизированного с возвращаемым и в этом случае добавлено 0...22 нс. Время "0" означает теоретически минимально возможное время и используется только как расчетное при определении времени цикла.
ПРИМЕЧАНИЕ: В таблицах и временных диаграммах приведены только сигналы -MEMR и -MEMW, а не -SMEMR и -SMEMW. Сигналы -SMEMR и -SMEMW вырабатываются с задержкой от 0 до 10 нс относительно сигналов -MEMR и -MEMW в тех случаях, когда ЦП, контроллер ПДП или контроллер регенерации является задатчиком на шине. Если задатчиком на шине является внешняя плата, то задержка может быть увеличена до 22 нс.
ПРИМЕЧАНИЕ: Во всех таблицах временных диаграмм TCLK обозначает период тактовой частоты шины.
Таблица 6.1. Временные соотношения для циклов с 0 тактов ожидания, нормальных и удлиненных, для 16- и 8-разрядных ресурсов памяти и УВВ.
N параметра |
Наименование |
Задатчик на шине (нс) |
Ресурс доступа (нс) |
Мин |
Макс |
Мин |
Макс |
1 |
LA<23...17> устанавливается до BALE |
61 |
|
50 |
|
2 |
Ширина импульса BALE |
61 |
|
50 |
|
3 |
LA<23...17> сохраняется после BALE |
26 |
|
15 |
|
4 |
LA<23...17> устанавливается до команды для 16-разрядной памяти [1] |
120 |
|
109 |
|
5 |
-MEM CS16 истинный от LA<23...17> |
|
102 |
|
66 |
6 |
-MEM CS16 удерживается после LA<23...17> |
0 |
0 |
|
|
7a |
SA<19...0> устанавливается до команды для 16-разрядной памяти |
39 |
|
28 |
|
b |
SA<19...0> устанавливается до команды для 16- или 8-разрядного УВВ |
|
102 |
|
91 |
c |
-SBHE устанавливается до команды для 16-разрядной памяти |
49 |
|
38 |
|
d |
-SBHE устанавливается до команды для 16- или 8-разрядного УВВ |
112 |
|
101 |
|
8a |
Длительность команд записи/чтения при доступе к 16-разрядной памяти (нормальный или удлиненный цикл) |
250 |
|
239 |
|
b |
Длительность команд записи/чтения при доступе к 16-разрядным УВВ (нормальный или удлиненный цикл) |
187 |
|
176 |
|
c |
Длительность команд записи/чтения при доступе к 16-разрядной памяти (0 тактов ожидания цикл) |
125 |
|
114 |
|
d |
Длительность команд записи/чтения при доступе к 8-разрядным ресурсам (нормальный или удлиненный цикл) |
530 |
|
519 |
|
9 |
SA<19...0> устанавливается до BALE |
40 |
|
29 |
|
10a |
Время установления данных после сигнала чтения 16-разрядной памяти |
|
209 |
|
187 |
b |
Время установления данных после сигнала чтения 16- разрядного УВВ |
|
132 |
|
110 |
c |
Время установления данных после сигнала чтения 16-разрядной памяти для цикла с 0 тактов ожидания |
|
132 |
|
110 |
|
d Время установления данных после сигнала чтения 8-разрядного УВВ |
|
489 |
|
467 |
11a |
Время установления данных в цикле записи в 16-разрядную память |
29 |
|
40 |
|
b |
Время установления данных в цикле записи в 16-разрядное УВВ |
33 |
|
22 |
|
c |
Время установления данных в цикле записи в 8-разрядный ресурс |
33 |
|
22 |
|
12 |
SA<19...0>, -SBHE снимаются после командного сигнала |
22 |
|
11 |
|
13a |
Время выключения команды при доступе к 16-разрядному ресурсу |
125 |
|
114 |
|
b |
Время выключения команды придоступе к 8-разрядному ресурсу |
187 |
|
176 |
|
14 |
Время установления данных при чтении до снятия команды |
40 |
|
62 |
|
15a |
Удержание данных при чтении |
0 |
|
0 |
|
b |
Удержание данных при записи |
30 |
|
30 |
|
16 |
Перевод сигналов SD<15...0> в третье состояние после снятия команды |
32 |
|
32 |
|
17 |
-0WS истинный от команды |
40 |
|
18 |
|
18 |
-I/O CS16 истинный от SA<19...0> |
|
126 |
|
90 |
19 |
-I/O CS16 удерживается после снятия SA<19...0> |
0 |
|
0 |
|
20a |
I/O CH RDY в лог."0" от 16-разрядной команды |
|
66 |
|
44 |
b |
I/O CH RDY в лог."0" от 8-разрядной команды |
|
378 |
|
356 |
21 |
I/O CH RDY длительность в лог."0" TCLK |
15600 |
TCLK |
15600 |
|
22 |
Снятие командного сигнала после разрешения I/O CH RDY |
TCLK |
|
TCLK |
|
23 |
Разрешение BALE после снятия команды |
50 |
|
61 |
|
24 |
Период тактовой частоты (TCLK) |
125 |
167 |
125 |
167 |
25 |
Данные устанавливаются до разрешения I/O CH RDY |
|
|
63 |
|
26 |
LA<23...17> удерживается после разрешения команды обращения к памяти |
41 |
|
30 |
|
27 |
Длительность -0WS |
125 |
|
125 |
|
28 |
-0WS устанавливается до спада SYSCLK |
|
|
10 |
|
29 |
-0WS удерживается после спада SYSCLK |
|
|
20 |
|
Примечание: (1) LA<23...17> вырабатываются так же как SA<19...0>, если задатчик на шине не центральный процессор.
Табл. 6.2. Временные соотношения для цикла регенерации памяти.
N параметра |
Наименование |
Контроллер регенерации (нс) |
Внешняя плата (нс) |
Мин |
Макс |
Мин |
Макс |
1 |
Длительность -MEMR/-SMEMR |
250 |
|
239 |
|
2 |
SA<19...0> устанавливается до-MEMR |
125 |
|
114 |
|
3 |
SA<19...0> удерживается после завершения команды |
10 |
|
21 |
|
4 |
I/O CH RDY в лог."0" от -MEMR/-SMEMR |
|
81 |
|
59 |
5 |
-MEMR снимается после разрешения I/O CH RDY |
125 |
250 |
125 |
261 |
6 |
-REFRESH устанавливается до -MEMR |
250 |
|
239 |
|
7 |
-REFRESH удерживается после запрещения -MEMR (1) |
125 |
250 |
125 |
211 |
8 |
SA<19...0> и -MEMR удерживаются в третьем состоянии после запрещения -MEMR |
|
TCLK |
|
|
9 |
Длительность лог."0" I/O CH RDY |
TCLK |
|
TCLK |
|
10 |
Задержка возвращения управления шиной после запрещения -REFRESH |
2TCLK |
|
2TCLK |
|
ПРИМЕЧАНИЕ: (1) Сигнал -REFRESH может удерживаться длительное время для выполнения нескольких циклов регенерации памяти.
Таблица 6.3. Временные соотношения для циклов ПДП
N параметра |
Наименование |
Внешняя плата как источник или контроллер ПДП (нс) |
Внешняя плата как приемник (нс) |
Мин |
Макс |
Мин |
Макс |
1 |
-DACK, AEN устанавливаются до -I/OR, -I/OW |
145 |
|
134 |
|
2 |
Адрес устанавливается до команды |
102 |
|
91 |
|
3a |
-I/OR устанавливается до -MEMW |
235 |
|
224 |
|
b |
-MEMR устанавливается до -I/OW |
30 |
|
19 |
|
4a |
Данные устанавливаются от -I/OR(1) |
|
230 |
|
241 |
b |
Данные устанавливаются от -MEMR(1) |
|
261 |
272 |
|
5a |
Данные устанавливаются до разрешения -MEMW |
|
|
-21 |
|
b |
Данные устанавливаются до разрешения -I/OW |
|
|
-214 |
|
6 |
Команда чтения удерживается после запрещения команды записи |
50 |
|
39 |
|
7 |
Адрес удерживается после запрещения команд |
50 |
|
39 |
|
8 |
Данные удерживаются после запрещения команд(1) |
50 |
|
39 |
|
9 |
I/O CH RDY в лог."0" от команды обращения к памяти (1) |
|
125 |
|
90 |
10 |
T/C устанавливается до команды |
-60 |
60 |
-49 |
49 |
11 |
T/C удерживается после запрещения команды |
-60 |
60 |
-49 |
49 |
12a |
Длительность -I/OR |
700 |
|
689 |
|
b |
Длительность -MEMR |
450 |
|
439 |
|
13a |
Длительность -I/OW |
400 |
|
389 |
|
b |
Длительность -MEMW |
650 |
639 |
|
|
14 |
-DACK удерживается после запрещения команды |
60 |
|
49 |
|
15 |
AEN удерживается после запрещения команды |
60 |
|
49 |
|
16 |
DRQ активный от разрешения команды |
|
119 |
|
141 |
17 |
Длительность лог."0" I/O CH RDY |
TCLK |
|
TCLK |
|
ПРИМЕЧАНИЕ: (1) Не для контроллера ПДП, а для внешней платы.
Таблица 6.4. Временные соотношения для цикла захвата шины
N параметра |
Наименование |
ЦП, контроллер ПДП, контроллер регенерации (нс) |
Внешняя плата (нс) |
Мин |
Макс |
Мин |
Макс |
1 |
DACK разрешается после разрешения DRQ (1) |
|
|
|
|
2 |
Задержка -MASTER от -DACK 0 |
|
|
|
|
3 |
Контроллер ПДП переводит свои выходы в третье состояние |
0 |
49 |
|
|
4 |
AEN удерживается после разрешения -MASTER |
0 |
49 |
|
|
5 |
Внешняя плата начинает вырабатывать сигналы адреса, данных и командные сигналы |
|
|
60 |
|
6 |
Сигнал -MASTER удерживается после запрещения DRQ |
|
|
|
100 |
7 |
Сигнал -DACK удерживается послезапрещения DRQ (2) |
0 |
|
0 |
|
8 |
Внешняя плата переводит свои выходы в третье состояние до запрещения сигнала -MASTER |
|
|
0 |
|
9 |
ЦП начинает вырабатывать свои сигналы после запрещения сигнала -MASTER |
0 |
|
|
|
10 |
DRQ удерживается запрещенным после запрещения -DACK |
|
|
0 |
|
ПРИМЕЧАНИЯ: (1) Точные временные интервалы определяются контроллером ПДП. (2) Сигнал DRQ должен оставаться запрещенным, пока разрешен сигнал -DACK.
Файлы с графической иллюстрацией временных диаграмм шины ISA можно переписать здесь. Названия имен файлов соответствует следующим рисункам:
Рис. 6.1. Цикл доступа к 16-разрядной памяти с 0 тактом ожидания
Рис. 6.2. Нормальный и удлиненный цикл записи/чтения 16-разрядной памяти
Рис. 6.3. Нормальный и удлиненный цикл записи/чтения 16-разрядного устройства ввода/вывода
Рис. 6.4. Нормальный и удлиненный цикл записи/чтения 8-разрядной памяти
Рис. 6.5. Нормальный и удлиненный цикл записи/чтения 8-разрядного устройства ввода/вывода
Рис. 6.6. Нормальный и удлиненный цикл регенерации: 1 - Время разрешения сигнала -REFRESH может быть увеличено для выполнения нескольких циклов регенерации; 2 - Текущий задатчик на шине должен перевести сигналы адреса и команд в третье состояние до разрешения сигнала REFRESH.
Рис. 6.7. Нормальный и удлиненный циклы ПДП: 1 - DRQ может стать отрицательным в любое время после -DACK; 2 - IO/ CH RDY запрещается для вставки дополнительных тактов ожидания. Каждый дополнительный такт ожидания состоит из двух тактов SYSCLK; 3 - Контроллер ПДП активизирует сигнал TC в течении последней пересылки данных
Рис. 6.8. Цикл захвата шины: (1) - Контроллер ПДП; (2) - Внешняя плата
7. Характеристики соединителей на шине
7.1. Назначение выводов соединителей, устанавливаемых в слоты
Назначение выводов соединителей показано сверху вниз (при установленной внешней плате сторона компонентов соответствует правой половине соединителей, а место установки крепежной планки - верху).
36-выводный [8/16] соединитель:
Сигнал |
Вывод |
Вывод |
Сигнал |
-MEM CS16 |
D1 |
C1 |
-SBHE |
-I/O CS16 |
D2 |
C2 |
LA23 |
IRQ10 |
D3 |
C3 |
LA22 |
IRQ11 |
D4 |
C4 |
LA21 |
IRQ12 |
D5 |
C5 |
LA20 |
IRQ15 |
D6 |
C6 |
LA19 |
IRQ14 |
D7 |
C7 |
LA18 |
-DACK0 |
D8 |
C8 |
LA17 |
DRQ0 |
D9 |
C9 |
-MEMR |
-DACK5 |
D10 |
C10 |
-MEMW |
DRQ5 |
D11 |
C11 |
SD8 |
-DACK6 |
D12 |
C12 |
SD9 |
DRQ6 |
D13 |
C13 |
SD10 |
-DACK7 |
D14 |
C14 |
SD11 |
DRQ7 |
D15 |
C15 |
SD12 |
+ 5 В |
D16 |
C16 |
SD13 |
-MASTER |
D17 |
C17 |
SD14 |
Корпус (GND) |
D18 |
C18 |
SD15 |
62-выводный [8] соединитель:
Сигнал |
Вывод |
Вывод |
Сигнал |
Корпус (GND) |
B1 |
A1 |
-I/O CH CK |
RESET DRV |
B2 |
A2 |
SD7 |
+ 5 В |
B3 |
A3 |
SD6 |
IRQ9 |
B4 |
A4 |
SD5 |
- 5 В |
B5 |
A5 |
SD4 |
DRQ2 |
B6 |
A6 |
SD3 |
- 12 В |
B7 |
A7 |
SD2 |
-0WS |
B8 |
A8 |
SD1 |
+ 12 В |
B9 |
A9 |
SD0 |
Корпус (GND) |
B10 |
A10 |
I/O CH RDY |
-SMEMW |
B11 |
A11 |
AEN |
-SMEMR |
B12 |
A12 |
SA19 |
-I/OW |
B13 |
A13 |
SA18 |
-I/OR |
B14 |
A14 |
SA17 |
-DACK3 |
B15 |
A15 |
SA16 |
DRQ3 |
B16 |
A16 |
SA15 |
-DACK1 |
B17 |
A17 |
SA14 |
DRQ1 |
B18 |
A18 |
SA13 |
-REFRESH |
B19 |
A19 |
SA12 |
SYSCLK |
B20 |
A20 |
SA11 |
IRQ7 |
B21 |
A21 |
SA10 |
IRQ6 |
B22 |
A22 |
SA9 |
IRQ5 |
B23 |
A23 |
SA8 |
IRQ4 |
B24 |
A24 |
SA7 |
IRQ3 |
B25 |
A25 |
SA6 |
-DACK2 |
B26 |
A26 |
SA5 |
T/C |
B27 |
A27 |
SA4 |
BALE |
B28 |
A28 |
SA3 |
+ 5 В |
B29 |
A29 |
SA2 |
OSC |
B30 |
A30 |
SA1 |
Корпус (GND) |
B31 |
A31 |
SA0 |
7.2. Электрические характеристики сигналов
Аббревиатуры, раскрытые ниже, будут использоваться далее при рассмотрении требований к характеристикам сигналов на шине.
ТРИ - выход с тремя состояниями. Имеет состояния: активный низкий уровень, активный высокий уровень, выключено;
ОК - открытый коллекторный выход. Имеет состояния: активный низкий уровень, выключено;
ТТЛ - выход транзисторно-транзисторной логики с двумя состояниями. Имеет состояния: активный низкий уровень, активный высокий уровень;
Iih - входной ток высокого уровня. Такой ток возникает тогда, когда ко входу подключен выход с активным высоким уровнем;
Iil - входной ток низкого уровня. Такой ток возникает тогда, когда ко входу подключен выход с активным низким уровнем.
Ioh - выходной ток высокого уровня. Характеризует нагрузочную способность выхода устройства в активном высоком уровне;
Iol - выходной ток низкого уровня. Характеризует нагрузочную способность выхода устройства в активном низком уровне;
Vih - входное напряжение высокого уровня;
Vil - входное напряжение низкого уровня;
Voh - выходное напряжение высокого уровня;
Vol - выходное напряжение низкого уровня.
Напряжения и токи по цепям сигналов на шине.
На шине ISA могут использоваться только три типа устройств: ТТЛ (транзисторно-транзисторной логики), ТРИ (трехстабильный) и ОК (открытый коллекторный выход). Устройство ТТЛ может быть только фиксированного направления - либо вход, либо выход. Устройство с тремя состояниями может быть как входом так и выходом, и кроме этого, находиться в третьем состоянии.
Таблица 7.1. Напряжения и токи на шине
|
ТТЛ |
ТРИ |
ОК (1) |
|
передатчик |
приемник |
передатчик |
приемник |
ТРИ |
передатчик |
Iil |
- |
-0.8 |
- |
-0.8 |
-0.4 |
-0.4(2) |
Iih |
- |
0.04 |
- |
0.04 |
0.04 |
0.02 |
Iol |
24 |
- |
24 |
- |
0.4 |
24 |
Ioh |
-3 |
-3 |
-3 |
- |
-0.04 |
(3) |
ПРИМЕЧАНИЯ:
(1) Voh=2.4 В Vih=2.7 В Vol=0.5 В Vil=0.4 В
Все токи в таблице указаны в миллиамперах. Знак "-" перед значением тока означает, что ток вытекает из внешней платы в кросс материнской платы.
(2) Линия с открытым коллекторным выходом может быть подключена к ТТЛ входу.
(3) По линии с открытым коллекторным выходом ток Ioh (ток утечки) не должен превышать для каждого слота 0.4 миллиампера.
7.4. Дополнительные требования к приемникам и передатчикам на внешних платах
Разработка собственных внешних плат требует соблюдения еще ряда условий, кроме оговоренных в табл. 7.4. Это следующие условия:
- при проектировании топологии печатного монтажа на внешней плате, следует учитывать, что максимальная длина печатного проводника от контакта разъема до вывода подключенного к этой цепи компонента не должна превышать 65 мм;
- для минимизации помех на шине, уменьшения переотражений следует использовать компоненты с крутизной фронта нарастания/спада выходного напряжения не хуже 3 нс.
- максимальная емкость по каждому выводу интерфейсного разъема должна быть не более 20 пФ. В эту емкость входят входные емкости всех приемников и передатчиков, подсоединенных к выводу, и, кроме этого, емкость печатного проводника, связывающего вывод разъема с компонентами.
Таблица 7.2. Номиналы резисторов и способ подключения
Сигнал |
На + 5 В |
Последовательно |
-I/O CH CK |
4.7 кОм |
- |
I/O CH RDY |
1.0 кОм |
- |
-I/O CS16 |
300 Ом |
- |
I/OR |
4.7 кОм |
22 Ом |
I/OW |
4.7 кОм |
22 Ом |
-MASTER |
300 Ом |
- |
-MEM CS16 |
300 Ом |
- |
-MEMR |
4.7 кОм |
22 Ом |
-MEMW |
4.7 кОм |
22 Ом |
OSC |
- |
22 Ом |
-REFRESH |
300 Ом |
- |
-SMEMR |
4.7 кОм |
22 Ом |
-SMEMW |
4.7 кОм |
22 Ом |
SYSCLK |
- |
27 Ом |
-0WS |
300 Ом |
- |
7.5. Нагрузочные резисторы на шине
На кроссе материнской платы установлены нагрузочные резисторы для оптимизации электрических характеристик шины. Нагрузочные резисторы подключаются двумя способами:
- между линией сигнала и + 5 В;
- последовательно между ресурсом на материнской плате и линией сигнала на шине.
7.6. Механические характеристики внешней платы
При разработке внешней платы следует также учитывать следующее:
- толщина платы должна быть 1.6 мм +- 0.2 мм (с учетом толщины фольги);
- коробление платы не должно превышать 1.3 мм на всей длине платы;
- максимальная высота компонентов на плате не более 10 мм.
|